三星开始量产PS3所用的XDR高速记忆体
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韩国三星（Samsung）公司于今日（1月27日）正式发表，该公司已开始进行由Rambus公司所研发的新一代记忆体‘XDR DRAM’芯片的量产，首批量产的规格为256Mbit容量。
XDR DRAM 是Rambus公司所提出的新一代记忆体规格，名称取自‘eXtreme Data Rate’的缩写，是承继该公司先前所推出，获PS2采用为主记忆体的Rambus DRAM（简称 RDRAM）设计路线的高速序列传输记忆体。主要诉求于有高记忆体频宽需求的应用，如高画质数位影音摄录放产品、电视游戏机、数位电视以及高效能工作站 / 服务器等。
XDR DRAM 可于单一时脉内传输8笔资料，运作速度可达2.4～6.4Gtps（Gtps：每秒10亿次传输）。本次三星所量产的XDR DRAM晶片，容量为256Mbit，采用Rambus公司研发的Differential Rambus Signal Level (DRSL) 技术，于16bit单通道下频宽可达8GBps，相当于4Gtps的运作速度，是目前主流记忆体规格DDR400 SDRAM的10倍，或PS2所采用的PC3200 RDRAM的5倍之多。三星并计划于今年上半年发表512Mbit容量，运作速度提升至6.4Gtps的XDR DRAM 芯片。
目前预定投入XDR DRAM记忆体生产的厂商主要有东芝（Toshiba）、尔必达（Elpida）与三星等3家厂商，初期皆预定投入量产256Mbit芯片。目前已确认SCE的次世代PS主机（暂称PS3）将采用XDR DRAM 做为主记忆体，预估将会是XDR DRAM芯片初期最大的需求对象。另外包括与SCE合作开发新一代微处理器‘CELL’的 IBM，也将于高效能电脑工作站 / 服务器产品上使用XDR DRAM，另一合作对象NVIDIA也可能于往后的PC显卡产品上导入XDR DRAM的设计。
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